
Thông số
Hiệu suất
Độ rộng đường viết tối thiểu
< 10 nm
Độ chính xác chồng lớp mẫu
< ±20 nm
Độ chính xác ghép nối vùng viết
< ±20 nm
Vùng viết tối đa
1000 μm
Điện áp gia tốc
50 kV
Dòng chùm tia điện tử
20 pA–40 nA
Tốc độ quét tối đa
50 MHz
Tinh và Ổn định
Nguồn phát xạ trường Schottky mang lại độ sáng cao và độ phân tán năng lượng thấp. Chùm electron vẫn được hội tụ chính xác ngay cả ở dòng chùm tia thấp, hỗ trợ độ rộng đường viết dưới 10 nm và khả năng vận hành ổn định trong thời gian dài.