ALD atomic layer deposition system (ultra-high vacuum series)

Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử (ALD System)

Hệ thống ALD (Atomic Layer Deposition) cung cấp khả năng hình thành và phát triển màng mỏng với độ chính xác ở cấp độ nguyên tử trên các cấu trúc vi mô nano phức tạp 3D.

Công nghệ này tạo ra màng có độ đồng nhất cao, mật độ lớn và độ phủ toàn phần, phù hợp cho nhiều lĩnh vực khác nhau như

Ứng dụng

• Vật liệu nano (Nanomaterials)
• Tạo màng mỏng có độ đồng nhất cao ở quy mô nano cho MEMS, lớp điện môi, và lớp phủ kỵ nước / tương thích sinh học.
• Pin năng lượng mặt trời (Solar Cells)
• Lớp AlO dùng để thụ động hóa giúp cải thiện hiệu suất của pin mặt trời c-Si.
• Xúc tác (Catalysis)
• Ứng dụng cho xúc tác lõi-vỏ, xúc tác oxit / dị thể, xúc tác nguyên tử đơn, và xúc tác nano hai kim loại.
• Pin lithium (Lithium Batteries)
• Tạo lớp phủ cho màng ngăn, lớp bảo vệ cực dương / cực âm, ngăn chặn sự hình thành sợi dendrite, và tạo SEI nhân tạo.
• Lớp phủ quang học (Optical Coatings)
• Hình thành màng có mật độ cao trên cấu trúc phức tạp, hiệu suất vượt trội hơn PVD cho các thiết bị quang học tiên tiến.
• Công nghệ y sinh (Biomedical)
• Tạo lớp phủ bảo vệ dày đặc trên vật cấy ghép, bao bọc hạt thuốc, và bề mặt y học tái tạo.
• OLED / LED
• Tạo màng bao nano cho đóng gói OLED linh hoạt, cải thiện lớp thụ động cho LED.

Thông số kỹ thuật

• Chất điện môi hằng số cao (High-K dielectrics): AlO, ZrO, TaO, v.v.
• Vật liệu dẫn kim loại (Metallic interconnects): Cu, Ru, TaN
• Vật liệu xúc tác (Catalytic materials): Pt, Ir, Co, TiO
• Lớp phủ y sinh (Biomedical coatings): TiN, ZrN, TiAlN
• Vật liệu áp điện (Piezoelectrics): ZnO, AlN
• Vật liệu dẫn điện trong suốt (Transparent conductors): ITO, ZnO:Al
• Tinh thể quang tử (Photonic crystals)

• PLC + máy tính công nghiệp, hệ thống liên khóa an toàn.
• Phần mềm vận hành (Operation Software):
• Tích hợp chức năng bảo mật, cấu hình tham số, liên khóa IO, và quản lý quyền người dùng.