Ebeam50

Sistem Litografi Pancaran Elektron

Sistem litografi pancaran elektron jenis tulis terus (Direct-write) untuk fabrikasi mikro dan nano berketepatan tinggi.

Lajur Optik Elektron

Sumber elektron pancaran medan Schottky dengan arus pancaran yang boleh dipilih daripada 20 pA hingga 40 nA.

Meja Ketepatan Tinggi

Penentududukan menggunakan interferometer laser dengan pembetulan gelung tertutup (Closed-loop), menyokong pergerakan meja maksimum 100 mm, dengan pilihan 150 / 200 mm.

Penjanaan & Kawalan Corak

Mengintegrasikan perancangan laluan, pembetulan kesan kedekatan (Proximity Effect), fokus automatik, pembetulan astigmatisme dan pengukuran ketinggian dalam satu rangkaian perisian.

Prestasi Utama

Parameter

Prestasi

Lebar Garisan Minimum yang Boleh Ditulis

< 10 nm

Ketepatan Pertindihan Corak

< ±20 nm

Ketepatan Cantuman Medan Penulisan

< ±20 nm

Medan Penulisan Maksimum

1000 μm

Voltan Pecutan

50 kV

Arus Pancaran Elektron

20 pA–40 nA

Kadar Imbasan Maksimum

50 MHz

Halus dan Stabil

Pancaran medan Schottky memberikan kecerahan tinggi dan penyebaran tenaga yang rendah. Probe kekal fokus dengan tepat walaupun pada arus pancaran yang rendah, menyokong lebar garisan di bawah 10 nm serta operasi jangka panjang yang stabil.

This website uses cookies for best user experience, to find out more you can go to our Privacy Policy and Cookies Policy
Powered By MakeWebEasy Logo MakeWebEasy