Ebeam50

ระบบลิโธกราฟีด้วยลำอิเล็กตรอน

ระบบลิโธกราฟีด้วยลำอิเล็กตรอนแบบเขียนโดยตรง สำหรับการผลิตโครงสร้างระดับไมโครและนาโนที่มีความแม่นยำสูง

ชุดออปติคัลอิเล็กตรอน

แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามชนิด Schottky พร้อมค่ากระแสลำอิเล็กตรอนที่สามารถเลือกได้ตั้งแต่ 20 pA ถึง 40 nA

แท่นวางความแม่นยำสูง

ระบบกำหนดตำแหน่งด้วยเลเซอร์อินเตอร์เฟอโรมิเตอร์ พร้อมการแก้ไขแบบวงจรปิด (Closed-loop) รองรับระยะการเคลื่อนที่สูงสุด 100 mm และมีตัวเลือกขนาด 150 / 200 mm

การสร้างและควบคุมแพตเทิร์น

รวมการวางแผนเส้นทาง การแก้ไขผลกระทบจากความใกล้เคียง (Proximity Effect) ระบบโฟกัสอัตโนมัติ การแก้ไขแอสติกมาติก และการวัดความสูงไว้ในชุดซอฟต์แวร์เดียว

Key Performance

ความกว้างเส้นที่เขียนได้ต่ำสุด

< 10 nm

ความแม่นยำในการวางซ้อนแพตเทิร์น

< ±20 nm

ความแม่นยำในการเชื่อมต่อพื้นที่การเขียน

< ±20 nm

พื้นที่การเขียนสูงสุด

1000 μm

แรงดันเร่งอิเล็กตรอน

50 kV

กระแสลำอิเล็กตรอน

20 pA–40 nA

อัตราการสแกนสูงสุด

50 MHz

ลำอิเล็กตรอนและความแม่นยำ

(BEAM & ACCURACY)

ละเอียดและมีเสถียรภาพ

แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามชนิด Schottky ให้ความสว่างของลำอิเล็กตรอนสูงและมีการกระจายพลังงานต่ำ ลำอิเล็กตรอนยังคงโฟกัสได้อย่างแม่นยำแม้ใช้กระแสลำอิเล็กตรอนต่ำ รองรับความกว้างเส้นที่ต่ำกว่า 10 nm และการทำงานต่อเนื่องเป็นเวลานานอย่างมีเสถียรภาพ

This website uses cookies for best user experience, to find out more you can go to our Privacy Policy และ Cookies Policy

MakeWebEasy