Electron Beam Exposure System Pharos310

หมวดหมู่ : Product , Products Labs , Micro-nano Fabrication , CMP/EBL/CL

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลจำเพาะ

ภาพรวมผลิตภัณฑ์
ระบบการสแกนด้วยลำแสงอิเล็กตรอน Pharos310
ระบบการสแกนด้วยลำแสงอิเล็กตรอน Pharos310 ที่พัฒนาขึ้นภายในบริษัทของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อเขียนโครงสร้างที่มีขนาดเล็กถึง 40 นาโนเมตรบนตัวอย่างที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด 100 มิลลิเมตร ผู้ใช้งานสามารถสร้างไฟล์ภาพการออกแบบโดยใช้โปรแกรมแก้ไขเช่น KLAYOUT และ AutoCAD จากนั้นจึงทำการประมวลผลโครงสร้างไมโครและนาโนบนระบบ Pharos310

ข้อมูลพื้นฐาน
ส่วนประกอบพื้นฐานของระบบการสแกนด้วยลำแสงอิเล็กตรอน ได้แก่:

1. โครงสร้างหลัก

ระบบหลักของเครื่องสแกนด้วยลำแสงอิเล็กตรอน
ระบบควบคุมไฟฟ้าและสุญญากาศ
ระบบสร้างรูปแบบ (Pattern Generator)

2. อุปกรณ์เสริม

เครื่องวัดระยะด้วยเลเซอร์ (Laser Interferometer - LI-01)
ระบบการเก็บตัวอย่างแผ่นเวเฟอร์ขนาด 4 นิ้วอัตโนมัติ (Autoload-01)
แหล่งจ่ายไฟสำรอง (Uninterruptible Power Supply - UPS-01)
แหล่งจ่ายไฟสำรองสำหรับปั๊มไอออน (SIP Backup Power Supply - SIPB-01)
ระบบลดการสั่นสะเทือนแบบแอคทีฟและพาสซีฟ

ทิศทางการใช้งาน

การใช้งาน: อุปกรณ์นี้มีความสามารถในการสร้างภาพและวัดค่าความละเอียดสูง นอกจากนี้ยังมีความสามารถในการสแกนด้วยลำแสงอิเล็กตรอนความละเอียดสูง ซึ่งสามารถออกแบบและประมวลผลอุปกรณ์นาโนสเกลในพื้นที่ขนาดใหญ่ได้

ระบบออปติกส์อิเล็กตรอน (Electron Optical System - EOS)

แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน: Thermal field emitter (ZrO/W emitter)
แรงดันเร่ง: 0-30 kV

ระบบเลนส์:

เลนส์แม่เหล็กไฟฟ้าระดับ 3
ไดอะแฟรมแม่เหล็กไฟฟ้าที่ควบคุมมุมได้
Octapole electromagnetic diffuser

ขนาดจุดเล็กสุด: 3 nm

กระแสลำแสงอิเล็กตรอน: 10 pA ถึง 200 nA

ความเสถียรของลำแสง: ลำแสงสามารถคงที่ได้เป็นเวลานาน โดยอุณหภูมิห้องปฏิบัติการเปลี่ยนแปลงไม่เกิน ±0.5°C ต่อชั่วโมง และความเสถียรของลำแสงวัดได้ไม่เกิน ±1% ในเวลา 12 ชั่วโมง
ความเสถียรของตำแหน่งลำแสง : < ±50 nm/3 ชั่วโมง

การสแกนและการหมุน : มี
ประตูลำแสงอิเล็กตรอน: ประตูไฟฟ้าสถิตแบบความเร็วสูง
ความถี่: 20 MHz
ตัวเบี่ยงลำแสง: 2-stage scanning magnetic deflection