Electron Beam Exposure System Pharos310 untuk Litografi Nano

Tinjauan Produk: Sistem Pendedahan Sinar Elektron Pharos E310

Gambaran Sistem:
Pharos E310 merupakan sistem pendedahan sinar elektron berketepatan tinggi yang membolehkan:

Penulisan ciri sekecil 40 nm

Pemprosesan sampel berdiameter hingga 100 mm

Reka bentuk melalui perisian (KLAYOUT/AutoCAD)

Pemprosesan struktur mikro & nano

Komponen Utama:

Sistem Teras:

Unit utama litografi sinar elektron

Subsistem kawalan elektrik & vakum

Penjana corak

Kelengkapan Tambahan:

Interferometer laser (LI-01)

Sistem pensampelan automatik wafer 4-inci (Autoload-01)

Bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS-01)

Bekalan kuasa sandaran Pam Ion (SIPB-01)

Sistem redaman aktif & pasif

Sistem Optik Elektron (EOS):
Sumber Elektron: Pemancar medan terma (ZrO/W)
Voltan Pecutan: 0.5-30 kV (boleh laras)
Sistem Lens:

3 lensa elektromagnet

Diafragma elektromagnet kawalan sudut

Penyebar oktapol
Diameter Titik Minimum: 3 nm (pada 30 kV)
Kestabilan Rasuk: ±1% dalam 12 jam
Ketepatan Kedudukan Rasuk: <±50 nm/3 jam