Cathodoluminescence Imaging and Spectral Detection System

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

Cathodoluminescence (CL) มักจะติดตั้งในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนหรือกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน และสามารถทำการศึกษาร่วมกันของการสังเกตสัณฐานวิทยา การวิเคราะห์โครงสร้างและองค์ประกอบด้วยสเปกโทรสโกปี cathodoluminescence และทำการถ่ายภาพสแกนฟลูออเรสเซนซ์แบบเต็มสเปกตรัม จุดลำแสงอิเล็กตรอนที่ใช้สำหรับการกระตุ้น cathodoluminescence มีขนาดเล็กมากและมีพลังงานสูง เมื่อเทียบกับ photoluminescence (PL) cathodoluminescence มีลักษณะเฉพาะของความละเอียดเชิงพื้นที่สูง พลังงานกระตุ้นสูง ช่วงสเปกตรัมกว้าง ความลึกกระตุ้นขนาดใหญ่ และสามารถทำการถ่ายภาพสแกนฟลูออเรสเซนซ์แบบเต็มสเปกตรัมได้ ระบบ cathodoluminescence ที่รวมกับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนสามารถทำการศึกษาร่วมกันของการสังเกตสัณฐานวิทยา การวิเคราะห์โครงสร้างและองค์ประกอบด้วยสเปกโทรสโกปี cathodoluminescence บนวัสดุและอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ วัสดุเรืองแสง (วัสดุทางธรณีวิทยาและโบราณคดี) ในระดับเล็ก และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในเซมิคอนดักเตอร์ ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ วัสดุ ฟิสิกส์ ธรณีวิทยา โบราณคดี และสาขาอื่นๆ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ในสาขาวิจัยคุณสมบัติการเรืองแสงและโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของวัสดุเรืองแสง เช่น จุดควอนตัมเซมิคอนดักเตอร์และสายควอนตัมในระดับไมโครเมตรและนาโนเมตร เทคโนโลยี cathodoluminescence มีมูลค่าการใช้งานที่สำคัญ

ข้อมูลพื้นฐาน

ความสามารถทางเทคนิค

ทีมวิจัยนำโดยนักวิชาการ Yu Dapeng ได้ดำเนินงานวิจัยชั้นนำระดับนานาชาติหลายชุดโดยใช้ระบบเทคโนโลยีสเปกโทรสโกปีฟลูออเรสเซนซ์แบบ cathode-phase ความละเอียดเชิงพื้นที่สูงพิเศษนี้ ซึ่งส่วนใหญ่รวมถึง 1) การศึกษาคุณสมบัติการมีเพศสัมพันธ์ทางกลไฟฟ้าของวัสดุนาโน/ไมโครไวร์เซมิคอนดักเตอร์ อิทธิพลของความชันความเครียดต่อพลังงานการเรืองแสง โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ละเอียด และกลไกพลศาสตร์การขนส่ง exciton และเอฟเฟกต์ทางกายภาพที่น่าสนใจมากอื่นๆ ที่เกิดจากความเครียด พวกเขากำลังศึกษาปรากฏการณ์ทางกายภาพแบบใหม่ของการควบแน่น Bose-Einstein ที่อาจเกิดจากความเครียด 2) ใช้ระบบเทคโนโลยีสเปกโทรสโกปีฟลูออเรสเซนซ์แบบ cathode-phase ความละเอียดเชิงพื้นที่สูงนี้เพื่อทำการศึกษาความสัมพันธ์การกระจาย กฎการกระจายโหมด และต้นกำเนิดทางกายภาพของพลาสมอนพื้นผิว (SPPs) ในโพรงนาโนโลหะ

คุณสมบัติที่สำคัญ

ตระหนักถึงการศึกษาร่วมกันของการสังเกตสัณฐานวิทยา การวิเคราะห์โครงสร้างและองค์ประกอบด้วยสเปกโทรสโกปีฟลูออเรสเซนซ์แบบเปรียบเทียบเชิงลบ
บรรลุการถ่ายภาพสแกนฟลูออเรสเซนซ์แบบเต็มสเปกตรัม
ตระหนักถึงการถ่ายภาพแบบเต็มสเปกตรัม/สเปกตรัมเดี่ยว การรวบรวมสเปกตรัม และการเปรียบเทียบเชิงลบของการกระจายสเปกตรัมฟลูออเรสเซนซ์

ทิศทางการใช้งาน

การถ่ายภาพ cathodoluminescence แบบเต็มสเปกตรัมของอุปกรณ์เปล่งแสง GaN (ซ้าย); ลักษณะสเปกตรัม cathodoluminescence ของอุปกรณ์เปล่งแสง GaN ที่พลังงานกระตุ้นที่แตกต่างกัน (ขวา)
ผลการวัด CL เชิงทดลองของไมโครไวร์ ZnO งอ (เส้นผ่านศูนย์กลาง 1.8μm) a. ภาพ SEM ของตัวอย่าง; b และ c ผลการวัด CL แบบ line scan ของส่วนที่ไม่ได้เครียดและส่วนที่งอ d. การเปลี่ยนแปลงของยอดการปล่อยขอบเปลี่ยนแปลงไปตามความเครียดในภาคตัดขวาง
โหมดเรโซแนนซ์พลาสมอนพื้นผิวสามมิติในโครงสร้างโพรงขนาดเล็กบนพื้นผิวโลหะเงินเรียบ

การถ่ายภาพ cathodoluminescence แบบเต็มสเปกตรัมและการวิเคราะห์สเปกตรัมของอุปกรณ์ DUV-LED

การถ่ายภาพฟลูออเรสเซนซ์ของแคโทดและการวิเคราะห์สเปกตรัมของสารเรืองแสงอุตสาหกรรม (YAG)

อุปกรณ์เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์

โครงสร้างและอุปกรณ์ไมโครนาโนเซมิคอนดักเตอร์

วัสดุทางธรณีวิทยา