EtchLab – 300 Sistem Reactive Ion Etching (RIE) untuk Fabrikasi Mikro dan Nano

Pengenalan Proses RIE
Reactive Ion Etching (RIE) ialah teknologi pengukiran kering yang digunakan secara meluas dalam pembuatan semikonduktor, pemprosesan peranti mikroelektronik, dan Sistem Mikro-Elektro-Mekanikal (MEMS). Ia menggabungkan pengukiran fizikal (pembombardman ion) dan pengukiran kimia (tindak balas kimia), membolehkan pemindahan corak berketepatan tinggi dan sangat anisotropik ke atas substrat.

Ciri-Ciri Utama
Pengukiran Fizikal (Pembombardman Ion)

Dalam persekitaran plasma bertekanan rendah, medan elektrik memecutkan ion untuk membombard permukaan substrat secara menegak.

Tenaga kinetik ion mengganggu struktur bahan permukaan, menyebabkan atom permukaan terlepas.

Pengukiran fizikal sangat berarah, mencapai anisotropi tinggi.

Pengukiran Kimia

Gas pengukiran (cth., SF, CF, Cl, O) terurai dalam plasma, menghasilkan radikal bebas yang sangat reaktif.

Radikal ini bertindak balas secara kimia dengan atom permukaan substrat untuk membentuk hasil sampingan meruap, yang disingkirkan oleh sistem vakum.

Sinergi Pengukiran Fizikal dan Kimia

Tindak balas kimia meningkatkan kadar dan selektiviti pengukiran.

Pembombardman ion memastikan arah pengukiran yang konsisten.

Aplikasi RIE
Pembuatan Semikonduktor

Pembuatan FinFET, CMOS, dan peranti termaju

Teknologi litar bersepadu 3D

Through-Silicon Via (TSV)

Sistem Mikro-Elektro-Mekanikal (MEMS)

Mikro-sensor (cth., sensor tekanan, pecutan)

Mikro-aktuator

Pembuatan struktur mikro berasaskan silikon

Peranti Optoelektronik

Peranti laser

Komponen pandu gelombang optik

Nanoteknologi

Pembuatan struktur nano

Peranti penyimpanan data berketumpatan tinggi

Paparan Panel Rata (FPD)

Pembuatan LCD dan OLED

Pengukiran transistor filem nipis (TFT)

Bidang Penyelidikan

Pemprosesan permukaan bahan dan struktur mikro

Kajian skala nano